一:薄膜太阳能电池无尘车间
产品介绍
GB50472—2008《电子工业洁净厂房设计规范》
薄膜太阳能电池
9 供暖、通风、空气调节与净化
9.2.5排风系统的设计,应符合下列要求:
1等离子增强化学汽相淀积设备的尾气应设就地处理装置,且粉尘去除率应不低于99%;
2含有酸、碱废气的排风系统应独立设置,风机应设置应急电源;
3工艺设备的排风系统应设置备用风机;
4有冷凝液产生的排风系统风管应设置坡度和排液口,且风管系统应采取防液体渗漏措施;
5等离子增强化学汽相淀积设备的排风系统应采取防火、防爆措施;
6酸、碱、有毒排风系统不应设置熔片式防火阀;
7酸、碱排风系统的风机应设置在废气处理设备的气流下游侧;
8排风系统的室外风管应根据当地气象条件设置防结露保温措施;
9洁净室的排风系统应设置防止室外气流倒灌的措施。
9.2.8等离子增强化学汽相淀积设备区域及对应吊顶空间内应设置不低于2次/h 的排风,等离子增强化学汽相淀积
设备尾气处理设备间应设置不低于12次/h的事故排风。
9.3 空气调节与净化
9.3.1 净化空气调节系统的新风应集中处理,新风处理机组的设置应符合下列要求:
1送风机应采取自动调速措施;
2空气宜经过粗效、中效、亚高效过滤器或高效过滤器三级处理;
3新风吸入口的位置,应远离有害物或可燃物的排出口;
4应有良好的气密性,在工作压力下的漏风率不应大于1%;
5新风处理机组的安装高度应满足机组冷凝水的排出要求。
9.3.3循环空气处理机组宜采用干冷却方式处理空气。
9.3.5空调系统所采用的加热、加湿方式应利于工厂余热的利用。
9.3.6 PVB切割装配间净化空调系统设计,应符合下列要求:
1应对维护结构、人员、设备、物料等进行散湿计算;
2应进行湿负荷的平衡计算;
3净化空调系统的处理机组及除湿机组宜贴近生产车间;
4净化空调系统的设备、风管及配件应采取可靠的密闭措施;
5净化空调系统的回风管宜在低湿空间内敷设;
6净化空调系统不宜采用回风夹道、地沟等方式回风。
GB50472—2008《电子工业洁净厂房设计规范》
光纤厂房
4.1.5 光纤厂房生产环境及动力品质应满足光纤生产工艺要求:
1 光纤厂房的洁净度等级和温度、相对湿度参数见表4.1.5。
表4.1.5 光纤厂房洁净度等级和温度、相对湿度参数表
序号
|
工作间名称
|
洁净度等级
(控制粒径)
|
温度
|
相对湿度
|
1
|
拉丝间
|
7~8
(0.5μm)
|
23℃±3℃
|
45%~70%
|
2
|
预制棒存放间、洗管间、筛选/复绕间、测试间
|
8
(0.5μm)
|
23℃±3℃
|
45%~70%
|
3
|
包装间、成品库、
人身净化间
|
8
(0.5μm)
|
23℃±3℃
|
小于75%
|
5.1.4 光纤厂房人员净化用室的设置,应符合下列规定:
1 人员净化用室的入口处,应设净鞋设施;
2 外衣与洁净工作服应分别存放,存放柜可按洁净区内人数每人一柜配置;
3 卫生间应设在人员净化用室之前;
4 在洁净区的入口处应设空气吹淋室;
5 空气吹淋室应与洁净工作服更衣室相邻;
6 单人空气吹淋室应按最大班人数每30人设一台,也可采用多人吹淋室或通道式吹淋室;
7 空气吹淋室一侧应设旁通门。
6.1 空调净化与通风
6.1.1 光纤厂房的生产环境应满足生产工艺的要求,各生产房间的洁净度等级和温度、相对湿度应按本规范表4.1.5的规定取值。
6.1.2 新风宜集中进行空气净化处理,新风机组风机应变频控制,并且设置压差报警。
6.1.3 新风机组冷冻水供回温度宜为6℃~12℃,循环机组冷冻水供回温度宜为10℃~16℃;加热盘管宜采用热水为热媒。
6.1.4 初效、中效、高效三级空气过滤器可布置在空气处理机组内。
6.1.5 拉丝间的气流组织应符合下列要求:
1 拉丝间净化空调宜分层设置风口,每层宜采用上送下回的方式;
2 当拉丝塔设备配置了封闭的高级别的净化空气循环系统时,宜采用分层侧送侧回方式。
6.1.6 拉丝间净化空调送风量应计算每层工作平台的工艺设备发热量的差异。
6.1.7 拉丝塔设备的紫外固化装置送、排风系统应符合下列要求:
1 送风系统应独立设置,不得抽取室内净化空调空气作为送风,空调器内可设置表冷盘管、加热盘管以及初效、中效及亚高效空气过滤器,送风机组的风机压头应计算工艺设备内部阻力;
2 排风系统可高空排放;
3 热排风风管应采用耐高温耐高压的材料;
4 涂覆挥发物排风风管应采用耐腐蚀的材料。
6.1.8 拉丝间宜设置机械排烟系统。
三:发光二极管(LED)无尘车间
产品介绍
GB50472-2008《电子工业洁净厂房设计规范》
GB51209-2016《发光二极管工厂设计规范》
6.1.2 发光二极管工厂一般由生产厂房、动力厂房、化学品库、气站、办公楼等建筑组成。
9 采暖、通风、空气净化
9.1 一般规定
9.1.1 洁净室的空气洁净度等级以及洁净室型式应根据生产工艺对生产环境的要求确定。
9.1.2 洁净室的气流组织应根据洁净度等级、生产工艺要求以及技术经济比较确定。
9.2.5 排风系统的设计应符合下列要求:
1 金属有机化合物化学气相沉积设备的尾气应设就地处理装置;
2 酸、碱排风应独立设置系统,风机应设置应急电源;
3 工艺设备的排风系统应设置备用风机;
4 有冷凝液产生的酸、碱排风系统风管宜设置坡度和排液口,且风管系统应采取防液体渗漏措施;
5 金属有机化合物化学气相沉积设备的排风系统应采取防火、防爆措施;
6 酸、碱排风系统不宜设置防火阀,且不得设置熔片式防火阀;
7 酸、碱排风系统的风机应设在废气处理设备的下风侧;
8 工艺设备局部排风系统的室外风管应根据当地气象条件设置防结露保温措施;
9 洁净室的排风系统应设置防止室外气流倒灌的措施。
9.3 空气调节与净化
9.3.1 净化空气调节系统的新风应集中进行热、湿、净化处理,新风处理机组的设置应符合下列要求:
1 送风机应采取变频措施;
2 空气宜经过粗效、中效、高效过滤器三级处理;
3 新风的吸入口位置,应远离排放有害物或可燃物的排气口;25
4 应有良好的气密性,在工作压力下的漏风率不得大于1%。
9.3.2 光刻间宜采用新风处理机组+风机过滤器机组+干冷却盘管的净化空调系统;其他洁净室宜采用新风处理机组+循环空气处理机组+高效过滤器送风口的净化空调系统。
9.3.3 循环空气处理机组宜采用干冷却方式处理空气。
9.3.4 循环空气处理机组的风机应采取变频调速措施。
9.3.5 空调加热、加湿系统的设计应利于工厂余热的利用。
四:硅太阳能电池无尘车间
产品介绍
GB50472—2008《电子工业洁净厂房设计规范》
GB50704-2011《硅太阳能电池工厂设计规范》
硅太阳能电池工厂
3.4.2硅太阳能电池厂房的工艺区划,应按产品生产工艺流程进行布置,常规布置可按图3.4.2进行。
3.4.3生产环境及动力品质应符合硅太阳能电池生产工艺的要求。
5.2通风
5.2.3符合下列情况之一时,应单独设置局部排风系统:
1排风介质混合后能产生或加剧腐蚀性、毒性、燃烧爆炸危险性和发生交叉污染。
2散发剧毒物质的房间和设备。
3排风介质混合后易使蒸汽凝结并聚积粉尘。
5.2.4洁净区的排风系统应采取防止室外气流倒灌的措施,且排风系统应设置在风机的进口侧。
5.2.5含有易燃易爆物质的排风系统应与一般排风分开设置,并应采取防火防爆和安全排放措施。
5.2.9工艺尾气应经有效的净化设施处理后达标排放,并应设置应急备用装置。
5.2.13局部排风系统总管上应设置流量测量孔,并宜设置自动监测装置;工艺设备排风出口宜设置流量测量孔。
5.2.14硅烷间、氨气间、扩散间、三氯氧磷间等易产生和放散大量爆炸性气体或有害气体的房间,应设置事故通风系统。事故通风的换气次数不应小于12次/h。事故通风系统应设置自动、手动控制开关,手动开关应设置在室内外便于操作的地方。
5.2.18输送含有剧毒物质或工艺要求可靠性较高的排风机,应设置备用风机。
5.2.19局部排风系统的排风机宜采取变频措施。
5.3空气调节与净化
5.3.1厂房内的空气洁净度等级、温度、湿度,应符合生产工艺的要求。工艺无特殊要求时,湿度宜控制为40%~70%,温度宜控制为22℃~27℃。
5.3.8洁净室内换气次数可按表5.3.8的规定取值。
注:1换气次数适用于层高小于4.0m的洁净室。
2室内人员少、热源少时,宜采用下限值。
5.3.12洁净区内空调送风、回风和排风系统应连锁,启动时应先启动送风机,再启动回风机和排风机;关闭时连锁程序应相反。
5.3.14对化学污染物有控制要求的生产车间,可采取化学过滤或其他去除措施。
5.3.15加湿器与空调过滤段之间应有足够的吸收距离,在加湿工况下应保证过滤器前的空气相对湿度不大于80%。
5.3.16净化空调系统的送风机宜采取变频措施。送风机可按净化空调系统的总风量和总阻力值选择,空气过滤器的阻力应按终阻力计算。
5.3.17净化空调系统的电加热器、电加湿器,应采取无风断电保护、超湿保护和接地措施。
五:硅集成电路芯片无尘车间
产品介绍
GB50472—2008《电子工业洁净厂房设计规范》
GB 50809-2012 硅集成电路芯片工厂设计规范
硅集成电路芯片车间
3. 3.4 4 英寸~6 英寸芯片核心生产区宜采用港湾式布局。
3. 3.5 8 英寸~12 英寸芯片核心生产区宜采用微环境和标准机械接口系统,并宜采用大空间式布局。
3.3.6 8 英寸~12 英寸芯片核心生产区宜将生产辅助设备布置在下技术夹层。
10 工艺相关系统
10 .1 净化区
10. 1. 1 生产环境的洁净度等级应符合下列要求:
1 芯片生产厂房内各洁净区的空气洁净度等级应根据芯片生产工艺及所使用的生产设备的要求确定;
2 洁净度等级的划分应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范))GB 50073 的规定;
3 洁净区设计时,空气洁净度等级所处状态应根据生产条件确定。
10. 1. 2 生产环境的温度、相对湿度指标应按芯片生产工序分别
制定。一般洁净区温度应控制在220C:::!::o.50C~220C士20C,相对
湿度应控制在43% 士3%~45%
:::!::10 % 。
10. 1. 7 净化系统的型式应根据洁净区面积、空气洁净度等级和产品生产工艺特点确定。
10. 1. 8 洁净区的送风宜采用下列方式:
1 洁净区面积较小、洁净度等级较低且洁净区可扩展性不高时,宜采用集中送风方式;
2 洁净区面积大、洁净度等级较高时,宜采用风机过滤器机组(FFU) 送风。
10. 1. 9 对于面积较大的洁净厂房宜设置集中新风处理系统,新风处理系统送风机应采取变频措施。
10. 1. 10 对于有空气分子污染控制要求的区域,可采取在新风机组及该区域风机过滤器机组上加装化学过滤器
的措施。
10. 1. 11 干盘管的设置应符合下列要求:
1 应根据生产工艺和洁净区布局确定合理的安装位置;
2 应根据处理风量、室内冷负荷、风机过滤器特性确定干盘
管迎风面速度和结构参数;
3 应采取保证进入干盘管的冷冻水温度高于洁净区内空气露点温度的措施;
4 应设置检修排水设施。
10.2 工艺排凤
10. 2.1 硅集成电路芯片工厂的工艺排风系统设计,应按工艺设备排风性质的不同分别设置独立的排风系统。
10.2.2 凡属下列情况之一时,应分别设置独立的排风系统:
1 两种或两种以上的气体有害物?昆合后能引起燃烧或爆炸时;
2 混合后发生反应,形成危害性更大或腐蚀性的混合物、化合物时;
3 混合后形成粉尘时。
六:多晶硅无尘车间
产品介绍
GB50472-2008《电子工业洁净厂房设计规范》
GB51034-2014《多晶硅工厂设计规范》
5.2.5 生产太阳能级多晶硅的还原炉室宜考虑洁净新风,至少三级过滤;生产半导体级多晶硅的还原炉室洁净度应在8级以上。
5.6.3 硅芯制备的房间应设置在洁净区内。
5 破碎系统应设置除尘装置。
7 破碎、分拣、包装应设置在洁净区内,防止产品受到二次污染。
5.7.4 分析检测室中除化学分析以外,其它分析房间应设置在洁净区,洁净度要求见附录C。
8.4 洁净设计及装修
8.4.1 主厂房设计应符合下列规定:
1 半导体级多晶硅还原厂房的还原炉室应采按洁净厂房设计,空气洁净度等级不应低于8级。平面布置、人员净化、物流净化、室内装修应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的相关要求。当设有通往整理车间连廊时,其空气洁净度等级和处理方法同还原炉室。
3 整理车间空气洁净度等级及洁净区划分应按工艺要求设置,空气洁净度不应低于8级。平面布置、人员净化、物流净化、室内装修应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的相关规定。
10 采暖、通风与空气调节
10.2.5 腐蚀清洗、配酸柜等工序排出的酸性废气,应采用局部排风,所含酸性废气应采用酸雾净化塔进行处理。
10.2.6 喷砂、硅棒破碎等生产工艺产生粉尘,应设置袋式过滤器除尘系统。
10.2.7 硅芯炉泵房、石墨煅烧炉泵房等应设整体排风系统,通风换气次数应≥6次/h。
10.2.8 实验室通风柜排出酸性废气宜采用活性炭吸附装置进行处理。
10.2.9 排除酸性废气及粉尘应符合下列规定:
1 酸性废气、粉尘等的净化处理装置宜设置在负压段。
2 酸性废气净化系统宜设置备用风机,电源应接入应急电源。
3 酸性废气及粉尘经处理后应经排气筒排入大气,排气筒高度应符合《大气污染物综合排放标准》GB16297相关规定。
4 两台及两台以上废气处理设备并联运行时,宜在每台设备的入口设置电动(或气动)密闭风阀。
10.3 空气调节与净化
10.3.3 保证空气洁净度等级的洁净室送风量宜符合表10.3.3规定
表10.3.3 洁净室送风量(静态)和气流流型
空气洁净度等级
|
气流流型
|
平均风速
|
换气次数
|
(m/s)
|
(h-1)
|
1~5
|
单向流或混合流
|
0.20~0.45
|
—
|
6
|
非单向流
|
—
|
50~60
|
7
|
非单向流
|
—
|
15~25
|
8~9
|
非单向流
|
—
|
10~15
|
三级过滤
|
—
|
—
|
—
|
注:1换气次数适用于层高小于4.0m的洁净室;
2室内人员少、热源少时,宜采用下限值。
10.3.9 还原车间应独立设置直流空调送风系统,不应回风。
10.3.10 当腐蚀清洗室、硅棒破碎室、配件清洗室的局部排风不能安全排出酸性腐蚀性气体、粉尘等时,其设空调送风系统不应回风。
10.3.11 洁净空气调节系统的新风集中进行处理时,其新风处理机组应符合下列要求:
1 新风应经过粗效过滤器处理。
2 严寒地区新风应先预热。
3 送风机宜采取变频措施。
10.3.14 净化空调系统的送风机宜采用变频装置。
附录C
主要房间空气洁净度、温度、湿度、通风换气次数
表c主要房间空气洁净度、温度、湿度、通风换气次数
房间名称
|
空气洁净度等级
|
夏季
|
|
冬季
|
|
换气次数
|
吊顶净高
|
备注
|
|
|
温度
|
湿度
|
温度
|
湿度
|
|
|
|
|
|
℃
|
%
|
℃
|
%
|
次h-1
|
m
|
|
还原炉室
|
送三级过滤
|
28
|
<60
|
22
|
50
|
6
|
﹣
|
生产太阳能级多晶硅
|
还原炉室
|
8
|
28
|
<60
|
22
|
50
|
10~15
|
﹣
|
生产半导体级多晶硅
|
硅芯制备室
|
8
|
26
|
60
|
18
|
40
|
10~15
|
7
|
电磁屏蔽
|
硅棒破碎室
|
8
|
26
|
≤60
|
18
|
40
|
除尘
|
3.5
|
不回风
|
腐蚀清洗室
|
6(局部5)
|
26
|
≤60
|
18
|
40
|
排酸气
|
﹣
|
排气含酸处理
|
中间库
|
送三级过滤
|
26
|
≤60
|
18
|
40
|
10~15
|
3.5
|
﹣
|
配件清洗室
|
送三级过滤
|
26
|
≤60
|
18
|
40
|
10~15
|
3.5
|
﹣
|
烘干室
|
送三级过滤
|
26
|
≤60
|
18
|
40
|
10~15
|
4
|
﹣
|
续表c
房间名称
|
空气洁净度等级
|
夏季
|
|
冬季
|
|
换气次数
|
吊顶净高
|
备注
|
|
|
温度
|
湿度
|
温度
|
湿度
|
|
|
|
|
|
℃
|
%
|
℃
|
%
|
次h-1
|
m
|
|
石墨煅烧室
|
送三级过滤
|
26
|
≤60
|
18
|
40
|
10~15
|
4
|
﹣
|
磷硼检测室
|
8
|
26
|
60
|
18
|
40
|
10~15
|
6
|
﹣
|
物测室
|
7
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
电磁屏蔽
|
天平室
|
7
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
﹣
|
光度分析室
|
8
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
﹣
|
样品处理室
|
7
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
﹣
|
质谱分析室
|
6
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
电磁屏蔽
|
红外分析室
|
8
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
电磁屏蔽
|
气相分析室
|
8
|
25±2
|
≤60
|
25±2
|
≤60
|
﹣
|
﹣
|
电磁屏蔽
|
注:多晶硅厂房设计中,主要房间空气洁净度,按照附录3采用。而房间温度、湿度,对于不设置空调基本可以满足的地区,可以参照附录3,适当放宽房间温度、湿度的要求,主要是满足生产要求的同时,可以尽量节约能源。
七:集成电路封装测试无尘车间
产品介绍:
GB50472-2008《电子工业洁净厂房设计规范》
GB51122-2015《集成电路封装测试厂设计规范》
集成电路封装测试厂
1.1. 工艺布局
1.1.1. 工艺布局宜根据产品工序进行,主要生产工序可分为中测、减薄、划片粘片、焊线、芯片包封、电镀和成品测试。
常用的工艺流程为:
晶圆入厂→中测→减薄→贴膜→粘片→焊线→包封→切筋成型→电镀→打印→成品测试→包装→出货。
1.1.2. 工艺设备宜根据生产工序进行集中布置。
1.1.3. 生产环境宜符合下列要求:
序号
|
工序
|
洁净度等级
|
温度
|
相对湿度
|
照度
|
1
|
晶圆检查、减薄、划片、粘片、焊线
|
6~7
|
23℃±2℃
|
50±10%
|
300~500lx
|
2
|
芯片包封
|
7~8
|
23℃±3℃
|
50±10%
|
300~500lx
|
3
|
电镀、测试
|
空调
|
|
|
300~500lx
|
2. 净化及工艺排风
2.1. 净化区
2.1.1. 生产环境的洁净度等级应符合下列要求
1 洁净区的空气洁净度等级应根据集成电路封装测试产品、工艺及所使用的生产设备的要求确定;
2 洁净度等级的划分应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》 GB50073的规定;
3 洁净区设计时,空气洁净度等级所处空态、静态、动态应业主协商确定。
2.1.2. 气流流型的设计在空气洁净度等级要求6级~9级时,宜采用非单向流。
2.1.3. 洁净区空调系统宜采用以下方式:
1. 对于面积较大的洁净厂房设置集中新风处理系统,新风处理系统送风机应采取变频措施。
2. 循环空调系统应按照洁净度等级、温度、相对湿度、热负荷等因素进行分区。
3. 循环空调系统宜采用干式冷却方式,宜采用循环空调机组和末端高效送风口相结合的方式。
4. 采用新风未集中处理的空调机组时宜设置二次回风。
5. 加湿器宜采用等焓加湿方式。
2.2. 工艺排风
2.2.1. 集成电路封装测试工厂的工艺排风系统设计应按照工艺设备排风性质的不同分别设置独立的排风系统。
2.2.2. 集成电路封装测试工厂的排烟系统可以兼作事故排风系统。
2.2.3. 集成电路封装工厂测试的工艺排风系统宜设置变频调节系统。
2.2.4. 工艺排风管道穿越有耐火时限要求的建筑构件处应设置防火阀。腐蚀性排风管道穿越防火墙处可不设置防火阀,但紧邻建筑构件的风管管道应采用与该处建筑构件耐火时限相同的防火构造进行封闭或保护,每侧长度不应小于2m或风管直径的两倍,并以其中较大者为准。
八:印制电路板(PCB)无尘车间
产品介绍:
GB50472-2008 《电子工业洁净厂房设计规范》
GB51127-2015 《印制电路板工厂设计规范》
印制电路板(PCB)
4.5 厂房洁净度要求
4.5.1应根据生产工艺要求在干膜、湿膜、层压叠板、菲林制作等工序设计洁净区或洁净室;生产局部有洁净度要求的,可设计洁净区。
9 采暖通风与空气净化
9.2 通风与废气处理
9.2.2化学品库、中央加药等房间应设置机械全室通风,并应设置事故排风系统;有防爆要求的应按照防爆系统设置,与气体浓度探头连锁,并接入应急电源系统。
9.2.3电镀、沉铜、棕化、表面处理、蚀刻、清洗等房间应设置全室通风系统,宜采用机械方式进行送风,各房间的送风量与岗位送风量之和应小于排风量,以保证房间为相对负压。
9.2.4酸性废气、碱性废气、有机废气、热废气、粉尘等应分开设置排风系统。
9.2.5电镀、棕化、表面处理、酸性蚀刻、酸性清洗等工序排出的酸性废气,应采用酸雾处理塔进行处理。
9.2.6沉铜、碱性蚀刻、酸性清洗等工序排出碱性废气,应采用碱雾处理塔进行处理。
9.2.7印刷、烘箱、涂膜、字符等工序排出有机废气,宜采用活性炭吸附装置或洗涤塔加活性炭吸附装置进行处理。
9.2.8钻孔、铣边等区域排出粉尘,宜采用板式过滤器、袋式过滤器进行处理,其风量应按在正常运行和事故情况下,风管内粉尘的浓度不大于爆炸下
限的20%计算;粉尘排风系统应设置消除静电的接地装置。
9.2.9酸、碱、有机、粉尘等废气的风机宜设置在处理装置的出风侧,宜设置备用风机,风机宜设置变频装置。粉尘排风风机电源应接入应急电源。
9.2.10酸性废气、碱性废气、有机废气、热废气、粉尘等经处理后应经排气筒排入大气,排气筒高度应符合《电子工业污染物排放标准 电子元件及印
制电路板》GBxxxxx 相关规定。
9.2.11两台及两台以上废气处理设备并联运行时,宜在每台设备的入口设置电动(气动)密闭风阀。
9.2.12普通热排风风管材料宜采用镀锌钢板;酸性、碱性废气排风系统风管材料宜采用难燃型耐腐蚀玻璃钢风管或难燃型PVC 风管;有机废气排风系统
风管材料宜采用不锈钢风管或金属风管;粉尘废气排风系统风管材料宜采用镀锌钢板或碳钢钢管。
9.3 空气调节与净化
表9.3.6洁净室送风量(静态)和气流流型
空气洁净度等级
|
气流流型
|
平均风速(m/s)
|
换气次数(h-1)
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1~5
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单向流或混合流
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0.20~0.45
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6
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非单向流
|
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50~60
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7
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非单向流
|
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15~25
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8~9
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非单向流
|
|
10~15
|
注: 1 换气次数适用于层高小于4.0m的洁净室
2 室内人员少、热源少时,宜采用下限值。
9.3.9电镀、沉铜、棕化、表面处理、蚀刻、清洗、烤板等工序宜设置岗位送风系统。
9.3.12干冷却盘管的设置应符合下列要求:
1 迎面风速不宜超过2.5m/s。
2 空气侧阻力不应大于40Pa。
3 布置在同一洁净室(区)内的干冷却盘管,在工作条件下空气侧阻力相差不应大于10%。
4 冷冻水的供水温度应高于洁净室(区)内的露点温度。
5 应设置排水系统。
9.3.13净化空调系统的新风吸入管应设置防倒灌装置。
九:薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)无尘车间
产品介绍
GB 50472-2008 《电子工业洁净厂房设计规范》
GB 51136-2015 《薄膜晶体管液晶显示器工厂设计规范》
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)
3.0.2 TFT-LCD 工厂设计应满足生产所需要超大空间洁净环境的要求。
6.1.2 TFT-LCD 工厂一般由阵列、成盒、彩膜、模组等生产厂房、动力厂房、化学品库、化学品配送车间、办公楼等建筑组成。生产厂房、办公楼、动力厂房之间的人流宜采用连廊进行联系。
9 采暖、通风、空气净化
9.2.3 洁净室内产生粉尘和有害气体的工艺设备和辅助设备,均应设局部排风装置,排风罩宜为密闭式。
9.2.4 排风系统的设计,应符合下列要求:
1 PECVD 和干法刻蚀设备的尾气应设就地处理装置;
2 酸、碱、有毒和有机废气应分开设置排风系统,并应设置备用风机和应急电源;
3 阵列、彩膜、成盒厂房一般排风系统应设置备用风机;
4 有冷凝液产生的工艺设备局部排风管宜设置坡度和排液口,且风管系统应采取防液体渗漏措施;
5 有毒排风系统的风管应采用内涂聚四氟乙烯的不锈钢板制作;
6 有毒和有机排风及应采取防火、防爆措施;
7 酸、碱、有毒和有机排风系统不宜设置防火阀,且不得设置熔片式防火阀;
8 酸、碱、有毒排风系统的风机应设在废气处理设备的下风侧,有机排风系统如采用吸附方式处理废气,风机宜设在废气处理设备的上风侧;
9 有毒排风系统的风管应在适当位置设置透明观察口,其管内风速不应小于10m/s;
10 工艺设备局部排风系统的室外风管应根据当地气象条件设置防结露保温措施;
11 布置在阵列、彩膜、成盒厂房核心生产区内的排风管道,其管内风速不应大于12m/s;
12 洁净室的排风系统应设置防止室外气流倒灌的措施。
9.3 空气调节与净化
9.3.1 净化空气调节系统的新风应集中进行热、湿、净化处理,新风处理机组的设置
应符合下列规定:
1 送风机应采取变频措施;
2 空气应经过粗效、中效、高效过滤器三级处理;
3 阵列、彩膜、成盒厂房应设置备用新风处理机组;
4 阵列、彩膜、成盒厂房的电机与风机应采用直联驱动方式,且有良好的减振措施;
5 新风的吸入口位置,应远离排放有害物或可燃物的排气口;
6 加湿方式宜采用温水淋水室;
7 应有良好的气密性,在工作压力下的漏风率不得大于 1%。
9.3.2 阵列、彩膜、成盒厂房的洁净室宜采用“新风处理机组+风机过滤器机组+干冷却
盘管”的净化空调系统;模块和背光源厂房的洁净室宜采用集中式净化空调系统。
9.3.3 阵列、彩膜、成盒厂房的洁净室宽度超过80m时,宜在宽度方向布置不同阻力的
回风高架地板。
9.3.5 风机过滤器机组的设置应符合下列规定:
1 应根据空气洁净度等级和送风量选用;
2 宜采用直流调速电机;
3 机组应采取消音措施,消音装置不得采用产尘材料;
4 洁净度等级为 7~9级的洁净室(区)不宜采用聚四氟乙烯滤料的过滤器;
5 应便于安装、维修及过滤器更换。
9.3.7 空调冷、热源和水系统的设置应符合下列规定:
1 空调冷媒应采用低温和中温冷冻水系统;除新风处理机组的二级冷却盘管使用
低温冷冻水外,其余冷却盘管宜使用中温冷冻水;
2 干冷却盘管的中温冷冻水系统宜采用同程式,供水干管的末端应与回水干管间
设置旁通管;
3 布置在吊顶内的干冷却盘管的中温冷冻水系统管道和布置在下技术夹层及回
风夹道内的干冷却盘管的中温冷冻水系统供水干管应保温;
十:光纤器件无尘车间
产品介绍
GB50472—2008《电子工业洁净厂房设计规范》
GB51123-2015 《光纤器件生产厂工艺设计规范》
光纤器件无尘车间
4 生产环境要求和条件保障
4.1 生产环境要求
4.1.1 研磨抛光车间、熔融拉锥车间和平面波导法生产工艺车间温度宜保持在10℃~30℃之间,相对湿度宜保持在40%~75%。
4.1.2 研磨抛光车间、熔融拉锥车间、平面波导法生产工艺车间和组装封装车间应防微振,防微振等级应不低于三级。
4.1.3 研磨抛光车间、平面波导法生产工艺车间应为30万级及以上的厂房,熔融拉锥法生产工艺车间和光刻车间应为100万级以上的洁净厂房。
4.1.4 光栅制作场所应禁火禁油,保持通风。
4.1.5 调配胶场所应通风并防尘。
4.1.6 光路调试台环境噪声等级应不大于50dB。
4.1.7 组装封装车间应防尘。
4.2.4 研磨抛光工序、熔融拉锥工序和光刻工序应在洁净室,光纤耦合器和隔离器的组装封装宜在洁净区或洁净室。
4.2.5 洁净厂房内应设置人员净化和物料净化区。人员净化用室应包括雨具存放、换鞋管理存放和外衣更洁净工作服等房间。
7.4 采暖、通风、空气净化
7.4.1 光纤器件生产厂房洁净区空气洁净度等级宜为8级,换气次数宜为12至15次。
7.4.2 空调净化系统宜采用上送侧回或上送上回的送回风方式。
7.4.3 厂房室内温度宜为22℃±3℃,相对湿度宜为40%~60%。
7.4.5 生产中产生粉尘和有害气体的工艺设备,应设局部排风装置,
7.4.6 对排风介质中有害物应进行处理。
7.4.7 氢气使用房间应设置事故排风,排风应采取防爆措施。